本报讯 近日，我校刘宏、孙德辉教授团队利用提拉法成功生长出直径8英寸（200 mm）X-轴铌酸锂单晶，这是该团队继2021年突破声学芯片用Z轴、128Y等方向8英寸铌酸锂晶体生长技术后，铌酸锂晶体生长技术获得的又一次重要突破。

我校“光电功能晶体团队”自2017年开始对各种高品质、大尺寸铌酸锂晶体生长技术与器件展开研究，在国家自然科学基金、山东省自然科学基金重大基础研究项目和学校人才基金支持下，先后突破了8英寸Z轴和128Y轴铌酸锂晶体生长技术，并实现千万元级科技成果转化，与投资企业联合创建了山东恒元半导体科技有限公司，实现8英寸铌酸锂晶体产业化，为铌酸锂单晶薄膜及集成光电子芯片等新一代信息技术产业链提供基础材料。

此次8英寸X轴铌酸锂晶体生长技术的研发成功，标志着我国新一代信息技术关键基础材料的“卡脖子”技术实现了突破，未来团队将进一步提高8英寸X轴铌酸锂晶体生长质量，并尽快完成中试实验，为我国信息产业基础材料的发展提供坚实保障。

（前沿交叉科学研究院 孙德辉）